在集成电路（IC）中基本上使用两种类型的电容器：MOS电容器和p-n结电容器。 MOS电容器的一个板是衬底上的重掺杂区域（例如发射极区域），另一个板是顶层上的金属膜，并且热生长的SiO2膜用作中间的介电层; MOS电容器的电容和介电层介电常数是成比例的。
为了增加电容，希望使用具有大介电常数的介电材料[SiO 2，Si 3 N 4和Ta 2 O 5的介电常数分别为3.9,8和22]; MOS电容的电容基本相同。电压是独立的，串联电阻小，几乎没有漏电流。
pn结电容一般采用n + -p型，需要反向偏置（以防止pn偏置和泄漏），然后其电容与电压有关;并且通常不能使电容非常大，并且串联电阻也比MOS电容器大得多。

电容器，通常被称为容纳电荷的容量，是一个电容器，用字母C表示。
定义1：电容器，顾名思义，是一个“带电容器”，一种容纳的装置充电。英文名称：capacitor。
电容器是电子设备中使用最广泛的电子元件之一。它们广泛用于电路中，用于阻塞，耦合，旁路，滤波，调谐环路，能量转换和控制。
定义2：电容器，它构成任何两个导体（包括导线）之间的电容器，这两个导体彼此绝缘并且间隔很小。电容器与电容器不同。
电容是基本物理量，符号C，单位是F（法拉）。通用公式C = Q / U平行板电容器特殊公式：板间电场强度E = U / d，电容器电容决定C =εS/4πkd随着电子信息技术的飞速发展，数字电子产品的速度越来越快。
快速，消费电子产品的生产和销售，主要是平板电视（LCD和PDP），笔记本电脑，数码相机等产品，持续增长，带动了电容器行业的增长。