1.可靠的精度和可重复性恒流源（1nA~20mA）采用六电平电流范围设置，以尽量减少可接收的误差;范德比尔特定律将非接触设备的使用转换为有效降低仪器噪音;目标设计确保每个实验数据在多次测试中取平均值，从而为仪器提供出色的数据再现性。 2.产品小型化，操作简单小型磁场强度输入系统采用永磁式和液氮低温测量系统（77K），确保仪器操作非常简单;两种不同尺寸的传统样品板（20 * 20mm，6 *）6mm）和带弹簧夹的样品板（SPCB）使得不同尺寸和材料的薄膜样品更易于测量。
弹簧夹样品板与传统样品板不同，使霍尔电极更容易制造，对样品的损坏更小。 。
3.IV曲线和IR曲线测量通过图表测量探针的四个点（A，B，C，D）之间的电流 - 电压和电流 - 电阻关系，并且判断样品的欧姆接触好或坏。基本的电气特性。
4.各种实验结果实验结果由软件自动计算。可以同时获得散装载体浓度，片载体浓度，迁移率，电阻率。
，霍尔系数，磁阻，垂直/水平电阻比等。电流源：测量范围：1nA - 10 mA输出电压：+/- 10V（+/- 20V）输出电阻：典型值1013欧姆电流分辨率：25 pA电压测量：测量范围：10 mV - 10V（自动量程选择）分辨率：＆amp; lt; 500nV输入电阻：＆amp; gt; 1013欧姆磁场范围：0.45T~2T（牛津磁铁）;电阻测量范围：1x10-3欧姆 - 1x109欧姆电阻率测量范围：1 x10-5欧姆*厘米 - 1x107欧姆*厘米载波浓度范围：107 cm-3 - 1021 cm-3霍尔效应测量系统用于测量重要参数例如载流子浓度，迁移率，电阻率和半导体材料的霍尔系数。
重要的是要了解半导体材料的电性能必须提前控制，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电性能的必要工具。